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GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)
GIS局部放電主要由下列缺陷引發(fā)：
*載流導體表面缺陷：如毛刺，尖角，等引起導體表面電廠強度不均勻，這種缺陷通常在制造或安裝時造成的，在穩(wěn)定的工頻電壓下不易引起擊穿，但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
*絕緣子表面缺陷：如制造質量**，絕緣子有氣泡或裂紋，安裝**下的污跡，塵埃等。
*GIS筒內在制造和安裝過程中存在的自由導電微粒。
*導體部分接觸**。
AIAcompact主要特點：
1． 可連接聲波傳感器
2． 可連接特高頻（UHF）傳感器（300MHz-2GHz）
3． 儀器自動識別傳感器類型
4． 內置可充電電池，攜帶方便，測量快速
5． 紅外同步裝置
6． RS232接口，連接電腦可進行深入技術分析
7． 高靈敏度：1mv或1pc
8． LCD顯示屏
9． 三種顯示模式

滬公網安備 31010602002582號
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